一种适用于提拉法的线圈可移动式温场结构与单晶生长方法

摘要

本发明公开了一种适用于提拉法的线圈可移动式温场结构与单晶生长方法，温场结构包括由保温材料构成的生长腔室，在生长腔室内设有坩埚，在生长腔室外部环设有感应线圈，还包括后加热筒、支撑架和升降装置，后加热筒设置在生长腔室内并位于坩埚上方，后加热筒可在感应线圈作用下发热，支撑架设置在升降装置上，感应线圈放在支撑架上，升降装置通过支撑架可带动感应线圈升降。本发明通过移动感应线圈的相对位置来调节坩埚与后加热筒的发热量，既可以保证在晶体生长阶段能在固液界面处构置较大的温度梯度，又可以在降温阶段对晶体的头部和尾部同时进行热量补偿，减弱了晶体尾部与头部的温度差异，达到抑制晶体开裂的目的。