首页> 中国专利> 一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路

一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路

摘要

本发明公开了一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路,其利用模拟集成运算设计电路实现了该忆阻模型的伏安磁滞特性,属于电路设计技术领域。利用电子器件的集成运算,设计该忆阻器本征动力学运算关系。其中,配置反相比例器,实现输出电压与输入电压的比例运算,并使它们极性相反;利用反相比例加法器,实现多个输入电压的加法运算,使其和作为输出电压且成反相;配置反相积分器,实现对输入电压信号的积分运算;设计乘法电路,实现两端口输入信号的乘积运算;设计绝对值电路网络,实现输入电压的绝对值运算,使输出电压为输入电压的绝对值。本发明的电路仿真设计,使其能够代替实物双局部有源绝对值磁控忆阻器实现与此忆阻器相关的非线性电路与系统的设计和实验,探索该忆阻器电气特性及关联系统的动力学,为忆阻器的应用奠定必要的理论与实践研究基础。

著录项

  • 公开/公告号CN110110494A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东科技大学;

    申请/专利号CN201910494237.2

  • 发明设计人 李玉霞;宋庆海;常辉;袁方;

    申请日2019-06-09

  • 分类号

  • 代理机构杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人雷仕荣

  • 地址 266590 山东省青岛市黄岛区前湾港路579号

  • 入库时间 2024-02-19 12:36:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20190609

    实质审查的生效

  • 2019-08-09

    公开

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