用于层转移的位错过滤系统和方法

摘要

一种制造半导体器件的方法包括在第一基底上形成第一外延层。第一基底包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，并且第一外延层包括具有与第一晶格常数不同的第二晶格常数的第二半导体材料。该方法还包括在第一外延层上设置石墨烯层，以及在石墨烯层上形成包括第二半导体材料的第二外延层。该方法可以提高基底的重复使用性，提高功能层的释放速率，并且实现对剥离厚度的精确控制。