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一种中低硅烧结技术

摘要

本发明涉及烧结技术领域,且公开了一种中低硅烧结技术,包括以下步骤:1)首先,逐步将SiO2为≥7.5%的巴粗使用完后,接着采购的巴西粗粉SiO2控制在≤7.5%,降低配矿硅到5‑6水平,来进行实验;2)为保证生产技术攻关的严谨性、科学性和稳定性,此试烧验证过程从小高炉烧结矿开始进行。该中低硅烧结技术,通过先利用中硅巴粗验证后,接着利用CSN巴粗进行,再用中硅巴粗,慢慢降低矿硅到5‑6水平,来进行多次验证,使验证结果更加严谨,此验证先利用小高炉烧结矿开始进行,然后对整个生产和高炉使用过程的生产参数、烧结矿转鼓、全粒级、低温还原粉化指数RDI和熔滴性能等冶金性能数据进行统计分析,进行效果验证检测,达到了降低熔剂消耗的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN110172571A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成渝钒钛科技有限公司;

    申请/专利号CN201910499029.1

  • 发明设计人 李汉州;黎平;李建;

    申请日2019-06-11

  • 分类号

  • 代理机构成都明涛智创专利代理有限公司;

  • 代理人王巍敏

  • 地址 642450 四川省内江市威远县连界镇解放街

  • 入库时间 2024-02-19 12:31:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22B1/214 申请日:20190611

    实质审查的生效

  • 2019-08-27

    公开

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