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公开/公告号CN110121790A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 朴胜焕;李东骏;
申请/专利号CN201780081942.9
发明设计人 朴胜焕;李东骏;金庆都;李光浩;
申请日2017-12-29
分类号
代理机构北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人郑青松
地址 韩国首尔特别市冠岳区殷川路28咖街37
入库时间 2024-02-19 12:31:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/42 申请日:20171229
实质审查的生效
2019-08-13
公开
机译: 利用紫外线压印技术制造透明发光装置的方法以及由该透明发光装置制造的透明发光装置
机译: 利用紫外线注入技术制造透明发光装置的方法及由此制造的透明发光装置
机译:面向靶溅射的低损伤顶部发光有机发光装置用透明导电膜
机译:使用肖特基UV发光二极管的RGB发光装置的制造
机译:通过使用PFN改性ZnO作为电子转移层的大面积透明有机发光装置
机译:使用透明角和原子层沉积技术制造的异质结构超材料的晶状体性能,并使用有限元和光谱椭圆形测定方法分析
机译:使用纳米压印光刻技术制造全透明的基于聚合物的封装纳米流体器件
机译:用于电致发光聚合物装置的导电透明氧化物的改进的高压汞蒸气灯UV-臭氧反应器用于改进的高压汞蒸气灯的UV-臭氧反应器,用于电致发光聚合物装置中的透明导电氧化物的表面处理
机译:使用导电原子力显微镜对操作有机发光二极管进行空间分辨电致发光的方法和装置