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具有电容性去耦结构的标准集成单元

摘要

本文公开了具有电容性去耦结构的标准集成单元。一种标准集成单元包括半导体区域,半导体区域具有用于逻辑电路的功能域和相邻的连续性域,逻辑电路包括晶体管,连续性域向外延伸到标准集成单元的边缘。边缘被配置为与另一标准集成单元的另一连续性域相邻。标准集成单元还包括电容元件。该电容元件可以被容纳在连续性域中,例如在边缘处或附近。可替代地,电容元件可以被容纳在围绕晶体管的衬底区域延伸的位置处。

著录项

  • 公开/公告号CN110098185A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体(鲁塞)公司;

    申请/专利号CN201910087359.X

  • 发明设计人 A·马扎基;

    申请日2019-01-29

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 法国鲁塞

  • 入库时间 2024-02-19 12:22:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20190129

    实质审查的生效

  • 2019-08-06

    公开

    公开

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