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降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器及方法

摘要

本发明公开了一种降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器及方法。阵列式压电薄膜传感器包括从上到下依次布置的PVDF压电薄膜层、缓冲层和基底,PVDF压电薄膜层是由多片PVDF压电薄膜在同一平面阵列排布而成,阵列式压电薄膜传感器中的缓冲层沿垂直于PVDF压电薄膜的阵列排布方向将缓冲层分为多条缓冲条,每条缓冲条平行于PVDF压电薄膜布置,每条缓冲条尺寸为与PVDF压电薄膜等宽。本发明改善阵列式压电薄膜传感器特性的方法,应用于颗粒碰撞传感器,可有效降低阵列式颗粒碰撞传感器杂信比,同时也提高了传感器的信噪比,为开发性能更优良的颗粒碰撞传感器提供了新的设计思路。

著录项

  • 公开/公告号CN110010754A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201910243096.7

  • 发明设计人 王剑平;孙莹;曹蕊;聂鑫;

    申请日2019-03-27

  • 分类号H01L41/08(20060101);H01L41/113(20060101);G01N15/10(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人林超

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2024-02-19 12:18:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L41/08 申请日:20190327

    实质审查的生效

  • 2019-07-12

    公开

    公开

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