一种超低功耗双势垒纳米硅阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种超低功耗纳米硅阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：纳米硅基阻变层由含氢富硅碳化硅阻变层作为中间层，上下两层为相同同化学配比的含氢富碳碳化硅薄膜，阻变层上表面的条形电极和下表面的条形电极互相垂直；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，通过含氢碳化硅薄膜的化学配比调控，从而调节构成阻变存储器导电通道的势垒高度，进而达到调控电压，实现功率可调的功能，使纳米硅基阻变存储器可切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。