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用于制造低K膜以填充表面特征的前体和可流动CVD法

摘要

一种用于沉积含硅膜的方法,所述方法包括:将包含至少一个表面特征的衬底放入可流动CVD反应器中;向所述反应器中引入至少一种含硅化合物和至少一种多官能有机胺化合物以使所述至少一种含硅化合物至少部分地反应而形成可流动液体低聚物,其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并且至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化,该碳氮化硅涂层具有优异的机械性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110023535A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 弗萨姆材料美国有限责任公司;

    申请/专利号CN201780074937.5

  • 发明设计人 萧满超;D·P·思朋斯;R·何;

    申请日2017-10-25

  • 分类号C23C16/30(20060101);C23C16/40(20060101);C23C16/50(20060101);C23C16/48(20060101);H01L21/02(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人吴亦华;徐志明

  • 地址 美国亚利桑那州

  • 入库时间 2024-02-19 12:09:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/30 申请日:20171025

    实质审查的生效

  • 2019-07-16

    公开

    公开

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