包括绕组结构的次级侧装置和用于制造次级侧装置的方法

摘要

本发明涉及包括至少一个次级绕组结构(W)的次级侧装置(3)和用于制造这种次级侧装置(3)的方法，其中，次级侧装置(3)包括至少一个相线和每个相线一个次级绕组结构(W)，其中，次级侧装置包括至少两个导磁元件(5、5a、5b、5c、5d、5e)，其中，次级侧装置包括至少一个横向外导磁元件(5a、5d、5e、5f)和至少一个内导磁元件(5b、5c)，其中，所述至少一个横向外导磁元件(5a、5d)的宽度大于所述至少一个内导磁元件(5b、5c)的宽度，和/或所述至少一个内导磁元件(5b、5e)的长度(L_5b、L_5e)小于所述至少一个横向外导磁元件(5a、5f)的长度(L_5a、L_5f)。