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一种改善外延片污染印记的方法

摘要

本发明提供一种改善外延片污染印记的方法,所述方法包括:提供外延机台,所述外延机台包括基座、用于支撑所述基座的支撑架以及位于所述基座顶部的腔室;在所述基座上形成涂层;提供半导体衬底,将所述半导体衬底放入所述腔室中,在所述半导体衬底表面形成外延层,所述外延层和所述半导体衬底构成外延片,其中在形成所述外延层的过程中,所述涂层可以阻挡和/或吸附所述支撑架的污染粒子。采用本发明的方法,在半导体衬底表面形成外延层之前,在基座上形成涂层,所述涂层可以阻挡和/或吸附支撑架的污染粒子,从而减小所述支撑架区域的污染粒子浓度,进而改善所述外延片的污染印记。

著录项

  • 公开/公告号CN110071064A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海新昇半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201810061254.2

  • 发明设计人 王华杰;曹共柏;林志鑫;

    申请日2018-01-22

  • 分类号H01L21/687(20060101);

  • 代理机构11336 北京市磐华律师事务所;

  • 代理人董巍;高伟

  • 地址 201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号

  • 入库时间 2024-02-19 11:59:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/687 申请日:20180122

    实质审查的生效

  • 2019-07-30

    公开

    公开

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