具有dV/dt可控性的功率半导体器件

摘要

本发明公开了一种具有dV/dt可控性的功率半导体器件。一种功率半导体器件具有IGBT配置并且包括：半导体主体，所述半导体主体被耦合到所述功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子，并且被配置成在所述端子之间传导负载电流，并且包括第一导电类型的漂移区；用于控制负载电流的控制端子；与第一负载端子电连接的第一导电类型的源极区，以及与第一负载端子电连接并且使源极区与漂移区隔离的第二导电类型的沟道区；电连接到第二负载端子的第二导电类型的发射极区；至少一个功率单元。每个功率单元包括：彼此横向相邻布置的至少三个沟槽，其中所述沟槽中的每一个沿着垂直方向延伸到半导体主体中并且包括使相应电极与半导体主体绝缘的绝缘体。