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一种测量固体物质中氘和氚深度分布的方法

摘要

本发明公开了一种测量固体物质中氘和氚深度分布的方法,首先使用氘离子轰击待测固体物质,随后测量轰击过程中产生的质子和α粒子能谱,再通过能够自洽处理待测氢同位素浓度深度分布与阻止本领的数据处理模型,获得固体物质中氢同位素分布信息。本发明的优点在于:可同时分析两种氢同位素,即氘与氚,在固体物质中深度分布,并且分析结果与分析过程中阻止本领是自洽的。

著录项

  • 公开/公告号CN110045411A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院合肥物质科学研究院;

    申请/专利号CN201910280475.3

  • 发明设计人 祝庆军;陈舞辉;刘松林;

    申请日2019-04-09

  • 分类号

  • 代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司;

  • 代理人宋仔娟

  • 地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号

  • 入库时间 2024-02-19 11:55:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01T1/36 申请日:20190409

    实质审查的生效

  • 2019-07-23

    公开

    公开

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