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在待处理对象表面上注入离子的方法及实现该方法的装置

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本发明涉及用于在放置于真空室(20)中的待处理对象(24)的表面上注入单电荷或多电荷离子的方法，该方法包括同时包含以下项的步骤：将由离子源(26)产生的离子束(30)注射到所述真空室(20)中，并将该离子束(30)导向所述待处理对象(24)的表面，以及通过产生在所述真空室(20)中传播的紫外线辐射(36)的紫外线辐射源(32)照射所述待处理对象(24)的表面。本发明还涉及用于实现该注入方法的离子注入装置(18)。

著录项

公开/公告号CN109950118A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-28

原文格式PDF
申请/专利权人斯沃奇集团研究和开发有限公司;
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申请/专利号CN201811566500.6
发明设计人 C·米科;P·维利;J-L·贝津;A·库尔;A·布尔梅;
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申请日2018-12-19
分类号H01J37/317(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人贺月娇;杨晓光
地址瑞士马林
入库时间 2024-02-19 11:50:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/317 申请日:20181219

实质审查的生效
2019-06-28

公开

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