X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法

摘要

本发明是一种X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法，其外壳结构包括陶瓷件、连筋结构封接框、盖板和所形成的多腔体，以及在陶瓷件表面金属化图形、封接框表面和盖板表面的镀覆层；共烧工艺方法，包括配料、流延、打孔填孔、印刷、开腔、叠片层压、生切、烧结、镀覆等步骤；优点：1）既可完成传输线间的阻抗匹配，又可将传输信号限制在介质层中，减小介质损耗和辐射损耗，增加地层的数量用来消除平板模式的影响；2）将在陶瓷件内部制作电气连接电路的排布由二维平面结构变为三维结构，增加了可布线的密度，保证了封装外壳的气密性，同时降低了成本；3）开腔将大面积的平面封装外壳进行折叠，使得封装尺寸大大减小。