首页> 中国专利> 具有改善的凹陷及图案选择性的对氧化物及氮化物有选择性的化学机械抛光组合物

具有改善的凹陷及图案选择性的对氧化物及氮化物有选择性的化学机械抛光组合物

页面导航

摘要

本发明提供化学机械抛光组合物，其含有：研磨剂；多羟基芳族羧酸；式I的离子型聚合物，其中X

1. 具有改善的凹陷及图案选择性的对氧化物及氮化物有选择性的化学机械抛光组合物 [P] . 中国专利： CN109906257B . 2021-11-09
2. 具有高的移除速率和低的缺陷率的对于氧化物和氮化物有选择性的化学机械抛光组合物 [P] . 中国专利： CN105229110B . 2017-12-22
3. CMP compositions selective for oxide and nitride with improved dishing and pattern selectivity [P] . 美国专利： US10640679B2 . 2020-05-05

机译：对氧化物和氮化物有选择性的CMP组合物，具有改善的凹陷和图案选择性
4. Oxide and nitride selective CMP compositions with improved dishing and pattern selectivity [P] . 日本专利： JP2020500419A . 2020-01-09

机译：具有改善的凹陷和图案选择性的氧化物和氮化物选择性CMP组合物
5. A selective CMP composition for oxides and nitrides, with improved dishing and pattern selectivity [P] . 韩国专利： KR20190057406A . 2019-05-28

机译：一种用于氧化物和氮化物的选择性CMP组合物，具有改善的凹陷和图案选择性