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一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法

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本发明公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法，该装置包括：加热炉，延轴向依次包括恒温区和线性降温区，所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔；石英管，安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动；组合石英舟，由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态，在所述第一工作状态时，所述主舟与长晶套管分离，抽石英管内气压至10

著录项

公开/公告号CN110093667A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-06

原文格式PDF
申请/专利权人浙江森尼克半导体有限公司;
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申请/专利号CN201910425527.1
发明设计人郑律;马可军;俞振中;门楠;
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申请日2019-05-21
分类号
代理机构杭州求是专利事务所有限公司;
代理人万尾甜
地址 311200 浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区红垦农场红垦路83号
入库时间 2024-02-19 11:46:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-30

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/48 申请日:20190521

实质审查的生效
2019-08-06

公开

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