首页> 中国专利> 一种以In2Se3掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法

一种以In2Se3掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种以In2Se3掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法;该有机太阳能电池包括依次层叠设置的阳极基底、空穴传输层、活性层、电子传输层以及阴极层;所述空穴传输层为In2Se3掺杂PEDOT:PSS。本发明的有机太阳能电池,使用了高电导率、高透光率的In2Se3;首先,In2Se3具有较高的电导率,可以有效的提升PEDOT:PSS的电荷传输效率,降低了对薄膜厚度的敏感性;其次In2Se3透光率较高,能让活性层有效利用入射光;最后,本发明中将In2Se3粉末用去离子水与异丙醇混合配成溶液,不止环境友好,而且使得其能够掺杂在PEDOT:PSS中。

著录项

  • 公开/公告号CN109935697A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201910253959.9

  • 申请日2019-03-30

  • 分类号H01L51/42(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/48(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍;江裕强

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-18 06:52:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/42 申请日:20190330

    实质审查的生效

  • 2019-06-25

    公开

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