公开/公告号CN109919902A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-21
原文格式PDF
申请/专利权人 诺基亚技术有限公司;
申请/专利号CN201811385749.7
发明设计人 姜洪;
申请日2018-11-20
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人酆迅
地址 芬兰埃斯波
入库时间 2024-02-19 11:41:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-16
实质审查的生效 IPC(主分类):G06T7/00 申请日:20181120
实质审查的生效
2019-06-21
公开
公开
机译: 用于制造集成式MOS场效应晶体管的方法,特别是具有互补MOS场效应晶体管的电路,该互补MOS场效应晶体管的附加导体层包括金属硅化物
机译: 用于制造集成式MOS场效应晶体管的方法,特别是具有互补MOS场效应晶体管的电路,该互补MOS场效应晶体管的附加导体层包括金属硅化物
机译: 用于制造集成式MOS场效应晶体管的方法,特别是具有互补MOS场效应晶体管的电路,该互补MOS场效应晶体管的附加导体层包括金属硅化物