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一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构

摘要

本发明公开了一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构,其包括介质腔体块、信号屏蔽金属片和PCB基板,介质腔体块与PCB基板焊接,信号屏蔽金属片一端与介质腔体块焊接、另一端与PCB基板焊接,介质腔体块上设置有谐振孔,谐振孔的内壁上镀有银层,银层的深度小于谐振孔的深度的2/3。本发明结构简单、制造方便,其通过在现有TEM全介质滤波器的谐振孔内镀一定深度的银层,并根据孔的形腔体材料和大小以及谐振孔的孔径控制上银高度从而实现了在满足TEM全介质滤波器的频率需求有效地提高滤波器的Q值,其通过控制上银高度和谐振孔高度的比例使得使用了本发明的TEM全介质滤波器相对于传统TEM滤波器Q值至少提高20%以上。

著录项

  • 公开/公告号CN109962322A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 香港凡谷發展有限公司;

    申请/专利号CN201711403826.2

  • 发明设计人 孟庆南;朱晖;

    申请日2017-12-22

  • 分类号

  • 代理机构武汉开元知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄行军

  • 地址 430200 湖北省武汉市江夏区东湖新技术开发区光谷大道藏龙岛九凤街特5号凡谷电子工业园

  • 入库时间 2024-02-19 11:27:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01P1/208 申请日:20171222

    实质审查的生效

  • 2019-07-02

    公开

    公开

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