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公开/公告号CN109971481A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-05
原文格式PDF
申请/专利权人 上海大学;
申请/专利号CN201910196909.1
发明设计人 曹璠;杨绪勇;申飘阳;王晓俊;杨珩;
申请日2019-03-15
分类号
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2024-02-19 11:18:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/88 申请日:20190315
实质审查的生效
2019-07-05
公开
机译: 基于磷化铟的发光,无镉核/多壳量子点
机译: /基于磷化铟的发光无镉核/多壳量子点
机译:反向I型ZnSe / InP / ZnS核/壳/壳纳米晶体:可见光的无镉量子点
机译:具有基于生长掺杂合成的高度发光的INP-IN(ZN)P / ZNSE / ZNS核/壳/壳/壳胶胶胶胶胶体量子点
机译:基于无镉量子点的紫色发光二极管:通过优化有机空穴传输层实现高效率和亮度
机译:使用基于InP的合金芯多壳量子点的透明发光二极管
机译:镉硒/镉0.5锌0.5硫核/壳胶体量子点的光致发光光谱。
机译:InP / ZnS核/壳量子点的绿色合成用于无重金属的发光二极管
机译:基于INP的核心/壳量子点的界面氧化和光致发光
机译:改善Inp基板上的Inas量子点的点尺寸均匀性和发光