一种提高FinFET器件高频/高速性能的方法

摘要

本发明公开了一种可以提高FinFET器件高频/高速性能的方法，本发明包括如下步骤：在现有的FinFET制作工艺中，当完成沟道刻蚀后，在栅氧化层沉积之前，在沟道靠近漏端(drain)的一半沟道区域注入一定浓度和剂量的锗（Ge）离子，并且保持之后的现有工艺技术不做改变。因此，这种方法与以往的工艺具有很好的兼容性，制作过程并没有明显的增加工艺的难度与复杂度。另外，还提供了理论基础，以及提高的性能的计算方法。本发明提供了一种可以提高FinFET器件高频/高速性能的方法以满足一些现代电路对器件高频/高速性能越来越高的需求。