首页> 中国专利> SiC外延晶片及其制造方法、大凹坑缺陷检测方法、缺陷识别方法

SiC外延晶片及其制造方法、大凹坑缺陷检测方法、缺陷识别方法

页面导航

摘要

一种SiC外延晶片，是在具有偏角且基板碳夹杂物密度为0.1～6.0个/cm

1. SiC外延晶片及其制造方法、大凹坑缺陷检测方法、缺陷识别方法 [P] . 中国专利： CN109642343B . 2021.10.26
2. SiC外延晶片及其制造方法、以及缺陷识别方法 [P] . 中国专利： CN109642342B . 2021.10.26
3. SiC EPITAXIAL WAFER, PRODUCTION METHOD THEREFOR, LARGE PIT DEFECT DETECTION METHOD, AND DEFECT IDENTIFICATION METHOD [P] . 美国专利： US2019187068A1 . 2019-06-20

机译： SiC外延晶片，其制造方法，大凹坑缺陷检测方法和缺陷识别方法
4. SiC epitaxial wafer, method of manufacturing the same, large pit defect detection method, defect identification method [P] . 日本专利： JP6493690B2 . 2019-04-03

机译： SiC外延晶片，其制造方法，大凹坑缺陷检测方法，缺陷识别方法
5. SiC EPITAXIAL WAFER, PRODUCTION METHOD THEREOF, LARGE-PIT DEFECT DETECTION METHOD AND DEFECT DISCRIMINATION METHOD [P] . 日本专利： JP2018039714A . 2018-03-15

机译： SiC外延晶片，其制造方法，大缺陷检测方法和缺陷识别方法