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一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法

摘要

本发明为一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法,即在圆柱漂移管z0≤z≤z1范围内,施加沿‑r方向的径向电场,在均匀磁场的约束下,电子进行拉莫尔回旋运动,经过施加局部电场的区域时,径向电场对电子做功以改变电子束径向振荡,当电子进入局部电场区域时处于径向振荡的峰值附近,且离开局部电场区域时处于径向振荡的谷值附近时,沿‑r方向的径向电场会对电子做负功,从而减小电子束的横向动量,最终达到抑制电子束径向振荡的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN109860010A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北核技术研究所;

    申请/专利号CN201910081017.7

  • 申请日2019-01-28

  • 分类号H01J29/54(20060101);

  • 代理机构11011 中国兵器工业集团公司专利中心;

  • 代理人刘瑞东

  • 地址 710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号

  • 入库时间 2024-02-19 11:09:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J29/54 申请日:20190128

    实质审查的生效

  • 2019-06-07

    公开

    公开

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