一种促进钙钛矿薄膜结晶可控生长的化学吸附自限制辅助方法

摘要

一种促进钙钛矿薄膜结晶可控生长的化学吸附自限制辅助方法，属于光电子器件制备技术领域。本发明利用自限制化学吸附可以对钙钛矿结晶过程进行精准的原子级控制，通过控制脉冲时间、脉冲次数，精确地调节反应室内的环境条件以减缓钙钛矿的结晶过程，得到高质量的钙钛矿薄膜，且可重复性极强。同时，协同使用等离子体反应器，不仅能够改善钙钛矿薄膜表面一层的结晶形态，前驱体反应物A(液氯等)甚至可以深入膜体中，改善钙钛矿薄膜内部的结晶过程。这种化学吸附自限制辅助方法促进钙钛矿薄膜结晶可控生长方法对钙钛矿太阳能电池稳定性及PCE的提高有着重要的研究意义。