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一种面向不同领域应用的硅纳米线微结构调控方法

摘要

本发明公开一种面向不同领域应用的硅纳米线微结构调控方法,包括如下步骤:(1)使用进行硅片表面亲疏水改性,(2)进行湿法化学刻蚀硅纳米线,(3)硅纳米线表面亲疏水改性处理。本发明通过步骤(1)、(3)达到对硅片及多孔硅纳米线表面亲疏水性改变,实现可以简单快速调控硅纳米线微观结构进而满足不同实际应用需求。该方法具有设备简单、操作方便、可重复性好、成本低廉等优点,可以更好的实现工业化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN110028038A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201810030931.4

  • 发明设计人 秦玉香;姜芸青;赵黎明;闻棕择;

    申请日2018-01-12

  • 分类号B82B3/00(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王秀奎

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2024-02-19 11:04:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):B82B3/00 申请日:20180112

    实质审查的生效

  • 2019-07-19

    公开

    公开

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