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用于使用多单元存储单元组对非易失性存储器进行编程以提供保持差错的差错位置信息的方法和设备

摘要

提供了一种用于使用多单元存储单元组对非易失性存储器进行编程以提供保持差错的差错位置信息的方法和设备。非易失性存储器中的每个存储单元利用阈值电压电平被编程,并且根据来自多个页的位来编程每个存储单元。存储器控制器将存储单元组织为存储单元组,其各自存储利用阈值电压电平所编程的信息的m个位。确定要用于存储单元组中的每个存储单元以利用定义多个有效状态之一的阈值电压电平在存储单元组中对所选择的k个位进行编程的一个阈值电压电平。对于任何2个有效状态中的存储单元组的存储单元的至少一个的阈值电压电平相差至少2个阈值电压电平。

著录项

  • 公开/公告号CN109844864A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201780059446.3

  • 发明设计人 W.吴;J.B.卡恩;S.N.特里卡;Y.邹;

    申请日2017-08-24

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人姜冰

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 11:00:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/34 申请日:20170824

    实质审查的生效

  • 2019-06-04

    公开

    公开

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