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公开/公告号CN109841241A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201811415432.3
发明设计人 任琫淳;金真怜;沈相元;朴一汉;
申请日2018-11-26
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人屈玉华
地址 韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 10:28:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/34 申请日:20181126
实质审查的生效
2019-06-04
公开
机译: 具有垂直结构的存储装置和包括该存储装置的存储系统
机译: 具有垂直结构的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的存储系统
机译:具有垂直结构的不对称双栅晶闸管RAM的挥发性和非易失性特性
机译:i-NVMM:具有增量加密的安全的非易失性主存储系统
机译:具有$ hbox {TiO} _ {2} hbox {-SiO} _ {2} $混合电阻开关材料的CMOS完全兼容嵌入式非易失性存储系统
机译:具有三维堆叠纳米级存储装置的新型非易失性逻辑电路
机译:具有DC-AC微电网的电网管理和辅助服务的方法,包括PV农场和混合能量存储系统
机译:多孔的金属有机多面体框架具有最佳分子动力学和孔隙几何形状的甲烷存储装置
机译:有机电子产品:共轭聚合物纳米颗粒作为高性能非易失性有机晶体管存储装置的纳米浮栅电器(ADV。Funct。Mater。10/2015)
机译:具有可互换的圆柱形铁磁薄膜和背线的存储装置(Nakopitel Na smennykh Ferromagnitnykh Tsilindricheskikh plenkakh s provolochnoi podlozhkoi)