公开/公告号CN109828878A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 晶晨半导体(上海)股份有限公司;
申请/专利号CN201910108386.0
申请日2019-01-18
分类号
代理机构上海申新律师事务所;
代理人俞涤炯
地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区碧波路518号207室
入库时间 2024-02-19 10:24:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/22 申请日:20190118
实质审查的生效
2019-05-31
公开
公开
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机译: 高速半导体存储模块测试方法,特别是用于DDR-DRAM的测试方法,其中选择了许多合适的存储控制单元作为测试存储控制单元并作为测试设备的一部分提供
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