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在高温下去除处理腔室中的硼-碳残留物的清洁工艺

摘要

本发明的实施方式总体涉及使用水蒸汽等离子体处理从处理腔室的表面去除硼‑碳层的方法。在一个实施方式中,一种用于清洁处理腔室的表面的方法包括:将底座定位在距喷头的第一距离处,和将沉积的硼碳层暴露于第一等离子体工艺,其中所述第一等离子体工艺包括通过偏置设置在所述底座上的所述喷头来产生包括水蒸汽和第一载气的等离子体,和将所述底座定位在距所述喷头的第二距离处,和将所述沉积的硼‑碳层暴露于第二等离子体工艺,其中所述第二等离子体工艺包括通过偏置所述喷头并相对于所述喷头偏置侧部电极来产生包括水蒸汽和第二载气的等离子体。

著录项

  • 公开/公告号CN109690730A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201780033498.3

  • 申请日2017-06-16

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人汪骏飞

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 10:19:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170616

    实质审查的生效

  • 2019-04-26

    公开

    公开

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