首页> 中国专利> 一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法

一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列,所述雪崩光电二极管为SACM型APD,包括衬底以及设于衬底底部的阳极,所述衬底上表面设有凹槽,所述凹槽中自下而上依次包括:阴极、非耗尽层、倍增层和场控层,且阴极、非耗尽层、倍增层以及场控层与所述衬底之间绝缘;所述场控层上覆有吸收层,且所述吸收层与所述衬底相接;所述吸收层表面覆有规则排列的亚波长结构层;所述衬底为p

著录项

  • 公开/公告号CN109742093A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 暨南大学;

    申请/专利号CN201811549953.8

  • 发明设计人 高丹;张军;

    申请日2018-12-18

  • 分类号

  • 代理机构广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人林伟斌

  • 地址 510632 广东省广州市黄埔大道西601号

  • 入库时间 2024-02-19 10:19:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/144 申请日:20181218

    实质审查的生效

  • 2019-05-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号