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用于闪存存储器的多遍编程的预读取技术

摘要

一种闪存存储器件包括:闪存存储器阵列;以及控制逻辑单元。所述控制逻辑单元耦合到所述闪存存储器阵列。所述控制逻辑单元被布置为:在第一编程遍中根据至少一个第一页的数据对所述闪存存储器阵列的多个存储单元进行编程;感测在所述第一编程遍中被编程的所述存储单元的状态以获得所述至少一个第一页的数据,并且在第二编程遍之前将所述至少一个第一页的数据保存在所述闪存存储器件内的第一寄存器电路中;以及在所述第二编程遍中根据所述至少一个第一页的数据和第二页的数据对所述存储单元进行编程。

著录项

  • 公开/公告号CN109690683A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201880002834.2

  • 发明设计人 杨昕;

    申请日2018-12-10

  • 分类号

  • 代理机构北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人林锦辉

  • 地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2024-02-19 10:15:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/34 申请日:20181210

    实质审查的生效

  • 2019-04-26

    公开

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