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用于测量高纵横比结构的红外光谱反射计

摘要

在本文中呈现用于在红外波长下执行半导体结构的光谱反射测量的方法及系统。在一些实施例中,采用横跨从750纳米到2,600纳米或更大的范围的测量波长。在一个方面中,在倾斜角下执行反射测量以降低背侧反射对测量结果的影响。在另一方面中,由包含具有不同敏感度特性的多个光敏区的检测器检测宽广红外波长范围。根据波长跨越所述检测器的表面线性地分散所收集光。每一不同光敏区布置于所述检测器上以感测不同入射波长范围。以此方式,由单个检测器以高信噪比检测宽广波长范围。

著录项

  • 公开/公告号CN109690235A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 科磊股份有限公司;

    申请/专利号CN201780056228.4

  • 发明设计人 S·克里许南;戴维·Y·王;

    申请日2017-09-27

  • 分类号G01B9/02(20060101);G01B11/02(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘丽楠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 10:15:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B9/02 申请日:20170927

    实质审查的生效

  • 2019-04-26

    公开

    公开

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