一种近红外-可见光上转换器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种近红外‑可见光上转换器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一InGaAs/InP光电探测器；在所述InGaAs/InP光电探测器上形成叠层OLED，并使得所述叠层OLED与所述InGaAs/InP光电探测器以串联的方式电连接，以获得InGaAs光电探测器与叠层OLED集成的近红外‑可见光上转换器件。本发明方法制备成本较低，工艺简单，成功率高，并且可以大面积制备。在InGaAs探测器和OLED之间增加一层金属层，一方面有利于载流子的传输，降低开启电压，另一方面充当光的反射镜，提高量子效率。由本发明方法制备得到的InGaAs光电探测器与叠层OLED集成的近红外‑可见光上转换器件，具有非常高的发光效率以及发光亮度。