基于氧化铝材料内嵌纳米晶结构的铁电薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种基于氧化铝材料内嵌纳米晶结构的铁电薄膜制备方法，主要解决现有技术多晶的铁电薄膜在厚度低于10nm时，其铁电性能变差的问题。其实现方案为：1)对衬底进行标准清洗；2)将清洗后的衬底放置在升温后的原子层沉积设备ALD主工艺腔的反应腔中；3)向反应腔通入三甲基铝气体，沉积氧化铝原子层，并使用氩气对反应腔进行净化；5)在净化后的反应腔中通入四(二甲氨基)锆，在氧化铝中内嵌氧化锆纳米晶，并使用氩气对反应腔进行二次净化；6)重复4)多次，直到将氧化铝沉积到2‑10nm的预定厚度，完成铁电薄膜制备。本发明提高了铁电薄膜厚度在低于10nm时的铁电性能，可用于制作铁电场效应晶体管。