一种InSb单晶生长前杂质预处理用单晶炉及除杂方法

摘要

本发明专利公开了一种InSb单晶生长前杂质预处理用单晶炉及除杂方法，在InSb单晶生长之前，单晶炉的提拉杆先装上一套原料除杂装置，待原料熔化后将InSb熔体表面的浮渣留存在除杂装置内，关闭挡板阀，开启上炉体将除杂装置卸下并更换上籽晶杆，关闭上炉体并重新打开挡板阀准备InSb单晶生长。本发明技术效果是不仅可以对InSb原料进行杂质的预处理，还可以保证引晶放肩操作过程中视野的清晰度。