利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法

摘要

利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法为配置提纯原料，将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；将提纯原料倒入反应炉中，通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4，以将反应炉中的空气排出；按照8℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照8℃/min的速度进行降温至600℃，然后自然冷却至室温；对冷却至室温的提纯原料进行半固态处理，具体为提纯原料在室温时，按照20℃/s的速度升温至硅和铝的共晶温度以上，然后保温5～25min；自然冷却至室温，然后酸洗得到提纯后的多晶硅。