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公开/公告号CN109800490A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-24
原文格式PDF
申请/专利权人 南京理工大学;
申请/专利号CN201910007484.5
发明设计人 闫笑寒;尹建;侯怀宇;
申请日2019-01-04
分类号
代理机构南京理工大学专利中心;
代理人邹伟红
地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号
入库时间 2024-02-19 09:53:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-18
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20190104
实质审查的生效
2019-05-24
公开
机译: 晶界裂纹检测方法及晶界裂纹检测设备
机译: 通过增加N型TFT的有源沟道的主晶界数与P型TFT的有效沟道的主晶界数和点数的比值来控制阈值电压之间的电流迁移和绝对值差的CMOS TFT相同
机译: 晶界阻挡可改善CU互连中的应力迁移和电迁移
机译:剪切耦合的晶界运动与裂纹的相互作用:裂纹愈合,晶界退粘和亚晶粒形成
机译:纳米晶粒旋转和晶界的剪切耦合迁移在纳米晶材料中的耦合裂纹钝化机理
机译:流动{112}晶界与辐射诱导缺陷在α-Fe缺陷的相互作用:转化缺陷和对剪切耦合晶界迁移的影响
机译:受晶间纳米裂纹影响的晶界剪切耦合迁移
机译:晶界刻面,迁移和晶粒旋转之间的相互作用:颜色组和分子动力学模拟方法。
机译:剪切耦合的晶界迁移受异常原子改组的辅助
机译:倾斜边界与晶间纳米裂纹或沉淀物的保守剪切耦合迁移引起的塑性变形
机译:应力耦合有限元和无网格法在中尺度下的晶界迁移模拟。