公开/公告号CN109738989A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-10
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州科沃微电子有限公司;
申请/专利号CN201910156903.1
申请日2019-03-01
分类号G02B6/35(20060101);G02B6/122(20060101);G02F1/00(20060101);G02F1/01(20060101);G02F1/21(20060101);
代理机构31289 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李晓星
地址 215431 江苏省苏州市太仓市浏河镇紫薇路1号
入库时间 2024-02-19 09:48:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-04
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/35 申请日:20190301
实质审查的生效
2019-05-10
公开
公开
机译: 用于形成二氧化硅的绝缘层的组合物,包括用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法,用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物,用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法,用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法,以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法。
机译: 形成光敏树脂膜的方法,形成基于二氧化硅的涂层膜的方法,以及包括基于二氧化硅的涂层膜的器件和元件
机译: 用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物,用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法,基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法