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基于掺杂硅光栅阵列的偏振无关宽带吸收器

摘要

本发明公开了一种基于掺杂硅光栅阵列的偏振无关宽带吸收器,包括由掺杂硅组成的衬底层,所述衬底层上设有掺杂硅光栅阵列,所述掺杂硅光栅阵列由N×N个正方形的周期单元组成;所述相邻周期单元之间的间隙和周期单元的上表面均设有电介质减反射层。本发明可以吸收太赫兹波段中一个较宽频率范围内的入射光,偏振无关吸收率超过95%的带宽超过3THz,并且在很大的入射角范围内可以维持很高的偏振无关吸收,具有很好的带宽和角度无关性;此外本发明只需通过一次光刻,加上一次镀膜,便可成型,制作方法简单方便,成本低廉,适于大批量生产。

著录项

  • 公开/公告号CN109799556A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江科技学院;

    申请/专利号CN201910179538.6

  • 发明设计人 吴俊;刘夏吟;黄喆;沈艳婷;

    申请日2019-03-11

  • 分类号G02B5/00(20060101);G02B1/113(20150101);H01Q17/00(20060101);

  • 代理机构33294 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人丁海华

  • 地址 310023 浙江省杭州市西湖区留和路318号

  • 入库时间 2024-02-19 09:48:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/00 申请日:20190311

    实质审查的生效

  • 2019-05-24

    公开

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