公开/公告号CN109586167A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉光迅科技股份有限公司;
申请/专利号CN201811454008.X
申请日2018-11-30
分类号H01S5/40(20060101);
代理机构44341 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人何婷
地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层
入库时间 2024-02-19 09:48:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/40 申请日:20181130
实质审查的生效
2019-04-05
公开
公开
机译: 一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
机译: 具有窄线宽的带宽增强型自注入锁定DFB激光器
机译: 具有窄线宽的带宽增强型自注入锁定DFB激光器