一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法

摘要

一种内建SBD保护结构的SiC‑TMOS器件及其制作方法，该SiC‑TMOS器件包括自下而上设置的N+基底、N‑漂移层，还包括AOD层和第一金属层，AOD层设于N‑漂移层的上表面并与第一金属层接触形成SBD，在AOD层的侧面设有对称分布的保护结构以对SBD进行耐压保护。第一方面，在AOD层的侧面设置对称分布的保护结构，使得本申请的SiC‑TMOS器件具有双沟道的导通效果，可有效降低导通电阻并增强导通的稳定性；第二方面，由于保护结构中设有P型区域、沟槽栅极区域和P+屏蔽层，使得其具备了三层的耐压保护特性，每个保护层都可形成电荷耦合并在耗尽时减少漏电，提升器件的阻断电压能力也减小了SiC‑TMOS器件在内置SBD时的基础性能所受的影响，具有较好的应用前景。