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一种在不同衬底材料上制备薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在不同衬底材料上制备薄膜的方法,包括以下步骤:首先,准备原始薄膜,原始薄膜从下而上包括牺牲衬底层,氧化硅层和目标薄膜层,目标薄膜层的上表面为抛光面;原始薄膜由室温直接键合技术制备得到;其次,使用高真空键合法将目标衬底和目标薄膜键合;最后去掉牺牲衬底层和氧化硅层,然后对目标薄膜层进行抛光,得到最终薄膜;本申请的一种在不同衬底材料上制备薄膜的方法,结合了室温直接键合法和高真空键合两种键合方法,将目标薄膜转移到目标衬底上,从而既保证了薄膜的完整性,又实现了在不同衬底上制备薄膜的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN109686659A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南晶正电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201910025405.3

  • 申请日2019-01-10

  • 分类号H01L21/18(20060101);

  • 代理机构37108 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司;

  • 代理人张娟

  • 地址 250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台区1号楼B座1806室

  • 入库时间 2024-02-19 09:35:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/18 申请日:20190110

    实质审查的生效

  • 2019-04-26

    公开

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