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晶圆间键合结构的形成方法、晶圆的键合方法

摘要

一种晶圆间键合结构的形成方法以及晶圆的键合方法,其中晶圆间键合结构的形成方法,包括:提供基底;在所述基底上形成停止层,所述停止层中形成有通孔,所述停止层与金属层材料层的研磨比大于氮化硅与金属层材料层的研磨比;在所述停止层上形成金属材料层,所述金属材料层填充满所述通孔;平坦化所述金属材料层直至停止层,在通孔中形成键合金属层,所述键合金属层和两侧的停止层构成键合结构。本发明的方法防止了键合金属层表面凹陷缺陷的产生,提高了键合的强度。

著录项

  • 公开/公告号CN109686657A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201811440530.2

  • 发明设计人 高林;蒋阳波;王光毅;

    申请日2018-11-29

  • 分类号

  • 代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人董琳

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2024-02-19 09:35:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/18 申请日:20181129

    实质审查的生效

  • 2019-04-26

    公开

    公开

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