一种硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕方法

摘要

本发明公开了一种硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕方法，属于透射电镜原位纳米力学测试领域。采用湿法刻蚀与离子束刻蚀方法制备出楔形硅样品；利用聚焦离子束对刻蚀出的楔形硅进行减薄和修整，减薄采用离子束束流为30kV：50‑80nA，修整采用离子束束流为5kV：1‑6pA，使楔形硅顶部宽度为80‑100nm。用导电银胶将样品固定在透射电镜原位纳米力学系统的样品座上，在透射电镜中用压针对样品进行压痕，使样品损伤层厚度为2‑200nm；在透射电镜中对样品的损伤层进行原位纳米压痕实验。本发明实现了硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕实验，并且能够进行原子尺度表征。