电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法

摘要

本发明公开了一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法。该方法步骤如下：第一步，建立MOSFET的求解模型，并采用曲六面体对模型进行剖分，得到模型的结构信息，包括六面体的单元信息及节点信息；第二步，从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发，先用后向欧拉进行时间差分，然后对等式采用不连续伽辽金法测试，强加电场边界条件，求解得到各节点的电场及电流分布。本发明在相同计算量的前提下，可以更加清楚的得到在电磁脉冲和电压的作用下，器件内部电场随时间变化的分布情况，在获得相同收敛精度时，可以减少计算量，此外具有建模灵活、剖分方便的优点，形成的矩阵具有良好的稀疏性，求解效率较高。