法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-02
授权
授权
2019-04-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B5/14 申请日:20190124
实质审查的生效
2019-04-05
公开
公开
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种通孔倒角或泄漏,以及至少一种拐角短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中获得了这些测量值使用带束偏转的带电粒子束检查器从具有相应的尖端到尖端短,通孔倒角短和拐角短测试区域的单元中进行位移
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种尖端到一侧的短路或泄漏,以及至少一侧到另一侧的短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中使用具有带束偏转功能的带电粒子束检查器从带尖端到尖端短,尖端到侧面短测试和侧面到侧面短测试区域的单元中获得此类测量结果阶段
机译: 带电粒子偏转装置,带电粒子照射装置,带电粒子促进剂以及带电粒子偏转装置的制造方法