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一种浮地磁控忆阻模拟器

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摘要

本发明公开了一种浮地磁控忆阻模拟器，电路包括运算放大器U

1. 一种浮地磁控忆阻模拟器 [P] . 中国专利： CN109194321A . 2019-01-11
2. 一种浮地型磁控忆阻模拟器 [P] . 中国专利： CN112784515A . 2021-05-11
3. Memristive neuromorphic circuit and method for training the memristive neuromorphic circuit [P] . 美国专利： US10332004B2 . 2019-06-25

机译：忆阻性神经形态电路和训练忆阻性神经形态电路的方法
4. Memristive neuromorphic circuit and method for training the memristive neuromorphic circuit [P] . 美国专利： US10074050B2 . 2018-09-11

机译：忆阻性神经形态电路和训练忆阻性神经形态电路的方法
5. Method for forming memristor material and electrode structure with memristance [P] . 美国专利： US7846807B2 . 2010-12-07

机译：忆阻材料的形成方法及具有忆阻作用的电极结构