公开/公告号CN109148355A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 德淮半导体有限公司;
申请/专利号CN201811028511.9
申请日2018-09-05
分类号H01L21/762(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人田菁
地址 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
入库时间 2024-02-19 08:33:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20180905
实质审查的生效
2019-01-04
公开
公开
机译: 在半导体中形成隔离沟槽的方法,在硅晶片的表面中形成隔离沟槽的方法,形成隔离沟槽隔离的晶体管的方法,沟槽隔离的晶体管,在半导体中形成的沟槽隔离结构,存储单元和记忆体
机译: 在半导体组件的沟槽结构中产生隔离环,包括在衬底上形成第一层,在第一层中形成沟槽;用填充材料部分填充沟槽并进行进一步处理
机译: 在半导体部件中产生沟槽隔离的步骤包括在衬底中形成沟槽,在沟槽中沉积半导体层,部分转化为氧化物并填充绝缘材料