公开/公告号CN109411466A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司;
申请/专利号CN201810550609.4
申请日2018-05-31
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 新加坡新加坡城
入库时间 2024-02-19 08:29:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20180531
实质审查的生效
2019-03-01
公开
公开
机译: 具有改良电源的用于ESD保护的高保持高压(HHHV)FET及其制造方法
机译: 具有修正源的ESD保护的高保持高压(HHHV)FET及其制造方法
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